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许仕龙; 朱满康; 黄安平; 王波; 严辉;
北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;
Ta2O5; 介电薄膜; 晶化温度; 衬底负偏压;
机译:负衬底偏压对通过混合滤波阴极电弧和离子束溅射技术沉积的Ti-Si-N薄膜的微观结构和力学性能的影响
机译:直流磁控溅射衬底偏压对TiO_2薄膜结构,电和介电性能的影响
机译:衬底偏压对磁控溅射Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜结构和介电性能的影响
机译:衬底温度和偏压对溅射镀膜TiN薄膜光学性能的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:偏压对HiPIMS / RFMS共溅射Zr-Si-N薄膜力学性能的影响
机译:衬底偏压对结构和介电的影响 磁控溅射Baxsr1-xTiO3薄膜的性能
机译:组分和衬底偏压对溅射沉积Ni-La合金组织和惰性气体含量的影响
机译:使用Ta2O5薄膜作为介电层的Ta2O5电容器的制造方法
机译:用Ta2O5薄膜作为介电膜制造Ta2O5电容器的方法
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