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岳天峰; 刘嘉琪; 文峰; 马艳平; 丁春华; 姜宏;
海南大学 材料科学与工程学院,海口 570228;
海南省特种玻璃重点实验室,海口 570228;
射频溅射; C掺杂TiO2薄膜; 表面能; 带隙宽度; 光催化;
机译:负脉冲高压偏压对电容耦合射频等离子体化学气相沉积法制备类金刚石碳薄膜的影响
机译:Eu掺杂对低压热靶反应溅射制备TiO2薄膜光学性能的影响
机译:溶胶-凝胶和反应溅射法制备TiO2基多层薄膜的光催化和光电化学性能
机译:用反应溅射法制备TiO2 / W-TiO2 / TiO2薄膜的光学功能特性
机译:高频反应溅射制备铁基磁性氧化物薄膜的磁和介电性能
机译:溶胶-凝胶法和磁控反应溅射制备Eu掺杂ZnO薄膜的结构性能与能量转移的相关性
机译:沉积有不同负基底偏压的铂/钌/氮掺杂类金刚石碳薄膜的摩擦学性能
机译:mOCVD法制备VOx和TiO2薄膜及其结构与性能。
机译:化学气相沉积法在硅基底上制备镍薄膜的方法以及在硅基底上制备硅化镍薄膜的方法
机译:正电极薄膜,其制备方法是:通过将负偏压压入正电极,并沉积正电极活性材料,以及所有包含正电极薄膜的固态锂薄膜电池
机译:循环流化床反应器中等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备细颗粒TiO2薄膜的方法
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