原位TiN/O′-Sialon材料的低温氧化行为研究

摘要

采用热分析法研究了原位TiN/O′-Sialon材料在低温下(800～1 000 ℃)的氧化行为.结果表明,在800～1 000 ℃的空气中,TiN氧化为TiO2,O′-Sialon不发生氧化,时间足够长,材料转变为原位TiN/O′-Sialon复相材料.材料表面无“保护膜”生成.氧化过程遵循对数规律:Δm/A=Klg t+C,反应表观活化能56.1 kJ*mol-1.气氛中氧分压的增高加剧材料的氧化.