真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性

摘要

真空蒸发技术制备的 Cd Te薄膜在可见光范围内的透射率很低 ,而且受材料配比和掺杂等因素的影响 .通过 Cd Te薄膜的透射光谱可计算出其吸收系数和光带隙 ,实验发现 ,掺In会使 Cd Te薄膜的光带隙变宽 .在电学特性上 ,Cd Te薄膜根据制备工艺的不同表现出 n型和 p型两种导电类型 ,本文主要研究了材料配比、掺 In及热处理对导电类型的影响 .另外掺杂及热处理会使 Cd Te薄膜电阻率下降达