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朱作明; 刘南竹; 李国华; 韩和相; 汪兆平; 王善忠; 何力; 姬荣斌; 巫艳;
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心红外物理国家重点实验室;
光致发光; 束缚激子; 掺氮; 硒化锌; 外延层;
机译:掺Pb分子束外延生长的ZnSe晶体层的光致发光特性
机译:掺镁和掺硅氮化镓外延层的光致发光研究
机译:金属有机气相外延生长镁掺杂氮极性半极性(1011)GaN异质外延层的光致发光和正电子an灭研究
机译:掺氮4H-SiC衬底上同质外延层中应变场的微拉曼散射研究
机译:分子束外延生长掺杂杂质的ZnSe层的光致发光和电学性质
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:掺氟ZnSe外延层的电子和核自旋动力学
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究
机译:具有掺氮磷化镓外延层的注入型发光半导体器件的生产方法
机译:在Si衬底上生长高质量ZnSe外延层的技术
机译:在硅衬底上生长高质量ZnSe外延层的新技术
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