热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究

巫艳; 杨建荣; 方维政; 王善力; 于梅芳; 乔怡敏; 陈新强; 何力

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对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．

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来源
《红外与毫米波学报》|1999年第2期|103-107|共5页
作者
巫艳; 杨建荣; 方维政; 王善力; 于梅芳; 乔怡敏; 陈新强; 何力;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
异质结; 热处理; 互扩散; 汞镉碲; 扩散系数;
入库时间 2022-08-20 16:10:38

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