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紫外发光的半导体MgxZn1-xO薄膜制备与性质

     

摘要

利用ZnO微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同x值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物MgxZn1-xO薄膜.电子显微镜和X 射线衍射研究显示,薄膜由MgxZn1-xO微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ZnO粉末有所减小,并更具择优取向的趋势.室温下光致发光测量给出,MgxZn 1-xO薄膜在小于380nm的紫外波段出现较强的半宽小于20nm的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ZnO粉末有明显改善,表明这种MgxZn1-xO薄膜具有优良的紫外发光特性.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》|2002年第z1期|45-48|共4页
  • 作者单位

    北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心,介观物理国家重点实验室,北京;

    北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心,介观物理国家重点实验室,北京;

    北京大学化学学院和稀土材料和应用国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心,介观物理国家重点实验室,北京;

    北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心,介观物理国家重点实验室,北京;

    北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心,介观物理国家重点实验室,北京;

    北京大学化学学院和稀土材料和应用国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心,介观物理国家重点实验室,北京;

    University,of,Northwestern,Evanton,IL,60208,USA;

    University,of,Northwestern,Evanton,IL,60208,USA;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

    宽禁带半导体薄膜,II-VI族氧化物半导体,MgxZn1-xO ,X射线衍射,光致发光;

  • 入库时间 2023-07-25 20:02:32

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