应力调控下两种二维单层薄膜C2P4的电子结构性质研究

摘要

两种单层二维薄膜结构CP已被理论证明为稳定二维材料,均为间接带隙半导体材料。为了进一步拓展对这两种薄膜结构的研究,对平面内双轴应变作用下两种二维材料的能带进行了研究,并探讨了压强对这两种二维薄膜材料体积和能量的影响,两种结构属于正常的二维材料而非负泊松比材料,说明压强越大、体积越小、能量越高。相关研究对于进一步认识这两种二维材料,拓展其在光电子学器件、纳米电子学器件等方面的应用具有重要参考价值。