薄发射区晶闸管结构及特性的研究

摘要

在晶闸管的ｐｉｎ二极管模型基础上，提出了薄发射区晶闸管新结构，分析Ｐ发射区杂质总量ＱＥ对晶闸管通态压降Ｖｒ的影响，导出ＱＥ与Ｖｒ的关系式。分析计算表明，对一确定的宽度ＷＢ和厚度ＷＰ小于等于０．１μｍ时，随着ＱＥ的减小，Ｖｒ单调下降并趋于一几乎不变的值，当ＱＥ大于某一值时，Ｖｒ与ＷＰ无关，而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加，实验结果还表明，用ＬＰＣＶＤ原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品，与