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张辉;
黄山学院,化学系,安徽,黄山,245041;
半导体ZnS纳米粒子; 制备; 发光; 修饰;
机译:通过共沉淀法合成的In-Ga-Zn氧化物纳米粒子充当氧化物半导体材料
机译:由双层ZnS和单胺与芳族和杂环脂族环组成的二维无机-有机杂化半导体:合成,结构和性质
机译:Zn / Te的供给比例对II-VI族稀磁半导体Zn_(1-x)Cr_xTe的磁性的影响
机译:基于有机半导体的纳米结构和CDSE和CDSE / ZnS纳米粒子的薄膜:光电子的新材料
机译:二氧化硅基体中硫族硫化铅纳米粒子(PbE,E =硒,碲)半导体纳米复合材料的合成与表征。
机译:金属Zn纳米球半导体ZnO纳米球和金属半导体Zn / ZnO纳米球的光致发光机理
机译:开发半导体器件的接触材料。基于ZnSE的半导体激光器的最先进和问题。
机译:Znse,Gaas和Ge半导体半导体异质结的研究进展报告,截止日期为1968年9月30日
机译:II-III-V族半导体材料,包括II族元素Zn或Mg,III族元素In或Ga或Al以及V族元素N或P
机译:ZN-Al奥氏体基合金接合材料,制造ZN-Al奥氏体基合金接合材料的方法,使用ZN-Al共聚体的合金接合材料的接合方法,以及使用ZN-Al弹性体的基于半导体的接合体的半导体装置
机译:Zn-Al合金共接合材料,使用接合方法的Zn-Al合金共接合材料的制造方法以及使用Zn-Al合金共接合材料的半导体装置的Zn-Al合金共接合材料
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