D-半乳糖诱导HepG2细胞氧化应激模型的建立

摘要

以D-半乳糖为氧化应激诱导物,用不同浓度(0、37.5、75、150、300 mmol/L)D-半乳糖作用不同时间(24、48、72 h)诱导HepG2细胞氧化损伤,通过检测细胞存活率(MTT法)、丙二醛(MDA)含量、超氧化物歧化酶(SOD)活性、谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-Px)活性,结合细胞周期分析,研究D-半乳糖的最佳诱导浓度.结果表明:同对照组相比,当D-半乳糖浓度为150 mmol/L时,诱导48 h后,细胞中MDA含量显著上升;细胞中SOD、GSH-Px活性显著降低;细胞周期受到影响,G1期的细胞比例上升,S期的细胞比例降低.D-半乳糖浓度为150 mmol/L,作用时间48h,能够建立D-半乳糖诱导HepG2细胞氧化应激模型.