外力对三元哈斯勒半金属ZrIrSb电子结构和光学性质影响的第一性原理研究

摘要

采用密度泛函理论研究了应变对三元哈斯勒半金属材料ZrIrSb电子结构和光学性能的影响.计算结果表明,未加外力时,ZrIrSb的晶格常数与实验所测结果吻合较好.应变从 5％到5％的变化过程中,带隙逐渐减小,当拉伸应变ε=2％时,ZrIrSb的能带结构由间接带隙转变为直接带隙,并结合物理知识分析了带隙发生变化的原因.计算了材料在不同应力下的光学性质,讨论并分析了由于电子结构的变化而引起光吸收增强、吸收边发生红移的现象.应变影响了ZrIrSb的电子结构,提高了ZrIrSb的光学性能,为ZrIrSb在光电子器件实际应用中性能提高提供了理论依据.