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刘庆锁; 姜训勇; 孙永昌; 刘技文;
天津理工学院,材料科学与工程系,天津,300191;
NiTi形状记忆合金 ; 铁电陶瓷薄膜; Sol-Gel法 ; 氧化反应 ; 界面结构 ;
机译:Sol-Gel法制备的高分散钛酸钡纳米晶体的有机-无机复合材料的制备介电薄膜和透明纳米复合材料
机译:改性Sol-Gel路线制备的具有超薄二氧化铈基电解质的低温阳极支撑SOFC
机译:玻璃纤维增强聚对苯二甲酸乙二醇酯/线性低密度聚乙烯的制备和表征( gf fc> gf - pettutgutgutgututututgut修补程序0/fcκό& lldpe fc> lldpe)复合材料
机译:Nitisma / Fc复合材料的制备和阻尼能力
机译:空气和水界面和反相色谱界面上表面活性剂的结构研究,采用和频光谱法和二维相关分析。
机译:基于Sol-Gel复合材料的同轴共焦传感器的光学分辨率光声显微镜制备
机译:橡胶纳米复合材料中通过Sol-Gel反应制备的二氧化硅的化学图谱
机译:碳纳米管/明胶纳米复合材料的制备,机电和结构研究
机译:由基本边界面积法,数值边界面积法和应用边界面积法组成的边界面积法
机译:由其制备的具有空隙的聚酰亚胺化的Sol-Gel前体Sol-Gel单体和引入了空隙的有机-无机复合绝缘低介电材料
机译:SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
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