低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究

摘要

对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R(NH2)m(OH)n实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min; 6.89kPa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34kPa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kPa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求.