不同形貌磷化钴超级电容材料的制备与性能研究

摘要

cqvip:利用水热合成与低温磷化法,通过改变原料与水热温度进行形貌控制,分别制备出磷化钴(CoP)纳米片与纳米花形貌的材料。结果表明,CoP纳米片与纳米花的最佳制备温度均为120℃。实验发现,磷化钴形貌对其电化学特性有着显著影响。对纳米片与纳米花形貌的磷化钴样品进行超级电容性能测试发现,在电流密度为1 A/g时测得的比电容分别为453.2 F/g与584.4 F/g。纳米花形貌的CoP不仅具有更高的比电容,其倍率稳定性也更加优异于纳米片形貌的CoP。在电流密度增加到20 A/g时,纳米花形貌的CoP的比电容仍能保留59.6%,达到347.8 F/g,表现出很好的应用潜力。