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ZnO的p型掺杂研究进展

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摘要

ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,由于其独特的性能,如高电子迁移率、广泛的激子结合能,是一种很有前途的光电器件材料;但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等很难使其有效地实现n型向p型导电的转变.介绍了ZnO的p型掺杂机理、掺杂元素分类及国内外对p型ZnO研究的最新进展.

著录项

来源
《河北师范大学学报：自然科学版》 |2014年第5期|530-534|共5页
作者
高波; 崔红; 张艳峰; 魏雨; 郭晶华;
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作者单位

河北师范大学化学与材料科学学院;

河北交通职业技术学院教务处;

劳伦斯伯克利国家实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类锌副族（ⅡB族金属元素）;
关键词
p型ZnO; 掺杂机理; 掺杂元素;

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