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李驰平; 张铭; 宋雪梅; 王波; 李彤; 严辉;
北京工业大学材料科学与工程学院,北京100022;
ZnO薄膜; p型掺杂; 共掺杂方法;
机译:退火气氛对MOCVD生长的ZnO:N薄膜的影响及XANES研究ZnO:N薄膜的p型掺杂机理
机译:氮离子掺杂的外延生长在ZnSe衬底上生长的氮掺杂p型ZnO薄膜和ZnO / ZnSe p-n异质结
机译:超声喷雾热解沉积非掺杂n型ZnO薄膜和N-In共掺杂p型ZnO薄膜的性能
机译:对准ZnO纳米棒对未掺杂和掺杂锡型ZnO薄膜的生长及其在染料敏化太阳能电池中的应用
机译:ZnO和ZnS薄膜异质外延生长的研究
机译:补偿与N型导电特性的银和第III族元素共掺杂的ZnO基薄膜的方法,并用该方法制成薄膜
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积ICP-CVD设备,使用ICP-CVD设备制造没有任何掺杂工艺的P型ZnO薄膜的系统和方法以及光功率化合物半导体
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)设备,系统和方法,用于通过使用ICP-CVD设备和光功率复合半导体在没有任何掺杂过程的情况下制造p型Zno薄膜
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