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李金华; 袁宁一; 陈汉松;
江苏工业学院,信息科学系,功能材料实验室,江苏,常州,213016;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050;
氧化钒薄膜; 离子束增强沉积; 热电阻温度系数;
机译:反应离子束溅射沉积合成氧化钒薄膜:工艺参数的影响
机译:离子束溅射沉积二氧化钒薄膜的新方法
机译:用于微辐射热计应用的高电阻温度系数和低噪声氧化钨掺杂非晶氧化钒薄膜
机译:改性离子束增强沉积法制备二氧化钒薄膜的相变分析
机译:通过溅射磁控管直流来生长和表征氧化钒,氧化钒(6)(13)和二氧化钒的薄膜。
机译:离子束辅助沉积外延GaN薄膜
机译:氧化钒膜的氧离子束改性,用于达到电阻温度系数的高值
机译:离子束辅助沉积mgF2薄膜的粘附增强和内应力
机译:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成氧化钒薄膜的方法及其制备的氧化钒薄膜
机译:形成氧化钒膜的等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法和由此制备的氧化钒薄膜
机译:具有电化学沉积的具有亚微结构的钒二氧化钒薄膜的制备方法和使用相同方法制备的钒二氧化钒薄膜的制备方法
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