酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

摘要

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(CuPc)/铝(Al)/酞菁铜(CuPc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.