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黄传勇; 唐子龙; 张中太; 张枫; 林元华; 朱鹏翔;
清华大学材料科学与工程系;
钛酸钡; 氟化钇; 掺杂; PTCR效应; 半导体;
机译:La掺杂钛酸钡/聚酰亚胺纳米复合材料:LA掺杂和调查热,机械和高介电性能的研究
机译:基于铁族离子掺杂的II-VI族半导体的IR激光器材料的光谱特性研究
机译:稀土掺杂YF_3和LuF_3纳米粒子的发光特性
机译:YF_3掺杂钛酸钡电阻率特性的正温度系数
机译:半导体钛酸钡陶瓷的压阻特性。
机译:PNIPAm水凝胶-KF掺杂钛酸钡纳米粒子复合材料中的Maxwell-Wagner-Sillars动力学和增强的射频弹性力学敏感性
机译:二元聚偏二氟乙烯/钛酸钡纳米复合材料及其纳米石墨掺杂杂化材料的介电性能
机译:稀土掺杂半导体,研讨会于1993年4月13日至15日在加利福尼亚州旧金山举行。材料研究学会研讨会论文集,第301卷
机译:包含其应用于在掺杂有导电材料的至少一种导电特性的金属的层中的半导体材料的一部分中的半导体材料的一部分的制造半导体装置的方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译:包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译:活性阴极材料,通过使用这种材料,可改善其掺杂特性,改善掺杂和二次锂电池的特性
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