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曹凤泽; 陈红伟; 藏宝; 李晓欣; 王婷; 金香; 赵建军; 鲁毅;
包头师范学院 物理科学与技术学院 内蒙古 包头 014030;
包头师范学院 内蒙古自治区磁学与磁性材料重点实验室 内蒙古 包头 014030;
锰氧化物; 磁热效应; 电性;
机译:通过热等静压获得的Ag掺杂的FeSe0.94多晶样品,具有改善的晶粒连通性
机译:Al掺杂对TbMnO3多晶样品电和热电响应的影响:极化传输的证据
机译:多晶La_(0.9)MnO_3自掺杂引起的多功能性:大磁阻和磁热效应共存
机译:非简并掺杂多晶硅对钨多晶硅栅极PMOSFET热载流子可靠性的影响
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:Co-B和Ni-B共掺杂在(MnFe)2(PSi)材料中的可调谐巨磁热效应
机译:掺杂Ni2 +的没食子酸镁多晶样品中的光致发光+掺杂Ni2 +的没食子酸镁多晶样品的光致发光
机译:用于超光速无线电源的同步加速器自康普顿模型,seyfert Galaxy NGC6814中的周期性变化和复吸收,以及BL蝎虎对象的完整无线电选择样品的软X射线特性
机译:用选择性掺杂的多层多晶硅栅极制造igfet的方法
机译:倒T型栅极MOSFET-使用单独的多晶硅薄层沉积来覆盖覆盖轻掺杂扩散区的栅极,以提高可靠性
机译:利用单侧接触能力来制造半导体器件的方法,该单侧接触能力可提高未掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅的刻蚀选择性
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