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多晶碳化硅的氧化技术研究

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摘要

本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

著录项

来源
《功能材料》 |2000年第2期|142-143,152|共3页
作者
李跃进; 杨银堂; 贾护军; 朱作云; 柴常春;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071;

西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071;

西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071;

西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071;

西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
多晶碳化硅; 热氧化; 温度; 二氧化硅;

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