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磁性多层膜的正巨磁电阻特性

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摘要

采用离子束溅射方法制备了正巨磁电阻多层膜,在制备过程中采用外加磁场和退火处理.在室温条件下多层膜的巨磁电阻效应达到200%～300%,并用磁矩取向的双电流导电模型对正磁电阻的机理进行了解释.

著录项

来源
《功能材料》 |2003年第6期|652-653,659|共3页
作者
张栋杰; 都有为;
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作者单位

南京师范大学,分析测试中心材料科学实验室,江苏,南京,210097;

南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093;

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正文语种 chi
中图分类磁性材料;
关键词
正巨磁电阻; 多层膜; 取向生长;

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