离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯

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离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

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室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.

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来源
《功能材料》|2004年第3期|336-337|共2页
作者
宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯;
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作者单位

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080;

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类磁性半导体、磁阻半导体;
关键词
GaAs:Gd薄膜; 低能离子束外延; GaAs衬底;
入库时间 2022-08-17 16:31:36

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