氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

薛成山; 王福学; 庄惠照; 张晓凯; 艾玉杰; 孙丽丽; 陈金华; 秦丽霞

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氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

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研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.

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来源
《功能材料》 |2007年第10期|1632-1634|共3页
作者
薛成山; 王福学; 庄惠照; 张晓凯; 艾玉杰; 孙丽丽; 陈金华; 秦丽霞;
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作者单位

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;

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正文语种 chi
中图分类材料 ;
关键词
GaN ; Ga2O3/In2O3; 氨化 ; 磁控溅射 ;

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