离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 谢正生; 吴惠桢

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离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

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研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.

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来源
《功能材料》|2007年第8期|1257-1259,1264|共4页
作者
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 谢正生; 吴惠桢;
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作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院研究生院,北京,100039;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
垂直腔面发射激光器; 离子注入; 退火;
入库时间 2023-07-24 20:45:42

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