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BSCCO超导体中均匀排布ZnO缺陷的纳米复合制备

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摘要

通过纳米复合掺杂的方法,在BSCCO超导体中引入了均匀排布的纳米ZnO缺陷.研究并比较了不同掺杂方法对超导体性能以及ZnO在超导体中分布状态的影响.测试结果表明,不同掺杂方法所制备的样品均有明显的超导现象;经HRSEM表征,纳米复合掺杂所得样品中ZnO缺陷呈线状均匀排布,粒径约为100 nm.

著录项

来源
《功能材料》 |2007年第1期|157-160|共4页
作者
姜万涛; 许战立; 陈政; 赵晓鹏;
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作者单位

西北工业大学,电流变技术研究所,陕西,西安,710072;

西北工业大学,电流变技术研究所,陕西,西安,710072;

西北工业大学,电流变技术研究所,陕西,西安,710072;

西北工业大学,电流变技术研究所,陕西,西安,710072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类超导体、超导体材料;
关键词
超导; 纳米复合; 掺杂; BSCCO; ZnO;

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