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庄惠照; 胡丽君; 薛成山; 薛守斌;
山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;
Ga2O3/Al膜; GaN 纳米棒; 氨化; 磁控溅射;
机译:氨化温度对同轴GaN / Ga2O3纳米线形成的影响
机译:氨化温度对GaN纳米结构材料的形貌和光学性质的影响
机译:通过氨化沉积在Si衬底上的氧化Al层上的Ga2O3膜形成GaN纳米线
机译:氨化温度对RF磁控溅射技术对GaN / Nb纳米结构的微观结构,形貌和光学性能的影响
机译:钯和高价碘(III)催化烯烃双官能化反应的进展加氢氨化,碳氨化,氨基氟化和氮化。
机译:分子内Pd催化的碳醚化和碳氨化作用。催化剂结构对反应机理和产物立体化学的影响
机译:通过氨化Ga2O3 / V膜来合成大规模GaN纳米线
机译:氢与氨化学交换对氘浓度的影响
机译:salpetersäurelösung处理氰氨化钙生产氰氨化钙钙的方法。
机译:氨化树脂,这种材料的硬化成分和氨化树脂结合非一氧化二氮无机材料的方法
机译:氨化学物种消除使用二氧化碳,氨化学物质供应剂和氨化学物种吸附和消除装置的消除方法
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