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N+和N+2离子注入硅的材料性能研究

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摘要

本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深度变化的规律,形成Si3N4非晶层的条件.建立了多层的物理模型和胁变函数的数学模型,利用计算机和曲线拟合等手段,得出了合理的结论.

著录项

来源
《大连大学学报》|2005年第2期|14-16,57|共4页
作者
王国全; 解英艳;
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作者单位

沈阳大学,基础部,辽宁,沈阳,110044;

大连大学,建筑工程学院,辽宁,大连,116622;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类周期系统各族元素;
关键词
胁变; 损伤层; 扩展电阻;
入库时间 2023-07-25 16:02:28

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