基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化方法

摘要

随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销.为了大幅度减小反向衬底偏置(RBB)控制管的面积,对广泛应用的RBB优化漏电流技术提出一种新方法.基于双阈值CMOS电路设计,在输入最小漏电流向量的条件下,仅将反向偏置电压VRBB加到处于决定态的低阈值电压MOS管上,通过大幅度减小应用VRBB的晶体管数量来降低VRBB控制管的面积开销.在基于22nm工艺ISCAS85基准电路上与单纯RBB方法进行比较的实验结果表明,该方法以损耗27. 94%的漏电功耗优化效果为代价,降低了84. 91%的面积开销.