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付志红; 苏向丰; 周雒维;
重庆大学教育部高电压与电工新技术重点实验室;
功率器件; IGBT; 串联; 动态过压; 移相控制; 耐压能力; 绝缘栅双极晶体管; 静态过压; 耐压控制;
机译:在高耐压和大容量领域中支持功率器件发展的功率-分析支持IGBT发展的因素,并讨论包括宽带隙半导体在内的未来功率器件的前景。
机译:基于双闭环控制的LCL三相逆变器的Si IGBT和SiC MOSFET功率器件的性能比较
机译:过去30年中导致IGBT的功率器件开发概述-功率器件运行模型的发展
机译:用于中压功率转换系统的串联15 kV SiC IGBT器件和15 kV SiC MOSFET器件的比较性能评估
机译:三相功率转换器的电流控制技术。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:热对功率器件性能的影响:在IGBT上的应用
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:多串联三相PWM循环变换器设备的多串联三相PWM循环变换器设备和操作方法以及多列三相PWM功率变换装置
机译:移相光罩空白,移相光罩及其制造半导体器件的方法
机译:半导体器件的移相掩模空白,移相掩模及其制造方法
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