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半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析

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本项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察.在ZnTe/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展,而且首次发现类似螺旋位错分解的层错,并将其归结为原子在不全位错之后的堆积.

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来源
《电子显微学报》 |1998年第2期|0|共1页
作者
韩培德;
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作者单位

中国科学院凝聚态物理中心,北京电子显微镜实验室,北京,100080;

中国科学院半导体研究所,半导体材料科学开放实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
层错; 螺旋位错; Shockley不全位错; ZnTe/GaAs异质结构;

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