首页> 中文期刊> 《电子显微学报》 >C离子注入对几种金属/单晶SiO2体系界面特征的影响

C离子注入对几种金属/单晶SiO2体系界面特征的影响

             

摘要

@@ 近年来利用离子注入技术对金属/陶瓷体系进行界面增强已逐渐受到人们的关注[1~3].本文报道了利用C离子注入改善金属(Ti、Al或Ag)/SiO2单晶的界面结合,并利用纳米划痕仪结合原子力显微镜对C离子注入前后金属/SiO2单晶的界面失效机理进行了研究.

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