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半导体二次电子像中的掺杂衬度

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摘要

本文详细评述和介绍了近几年来国际上关于扫描电镜二次电子像中的掺杂衬度方面的实验和理论研究成果,总结了实验中发现的各种现象,并用电离能的观点对所有这些现象作出了理论上的解释,并指出了这种技术的应用前景.

著录项

来源
《电子显微学报》 |2002年第4期|406-410|共5页
作者
陈文雄; 徐军;
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作者单位

北京大学物理学院电镜室,北京,100871;

北京大学物理学院电镜室,北京,100871;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
掺杂衬度; 功函数; 电离能;

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