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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟

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摘要

本文采用Monte Carlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响,并与宏观RC电路进行了比较.

著录项

来源
《电子显微学报》 |2003年第3期|214-218|共5页
作者
许海霞; 李钱光; 杨毅; 闵永泉; 李志扬; 刘武;
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作者单位

华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079;

华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079;

华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079;

华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079;

华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079;

华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类近似计算;存贮器;
关键词
单电子存储器; Monte Carlo模拟;

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