纤维锌矿薄膜中30度旋转畴的TEM研究

摘要

由于具有纤维锌矿结构的ZnO和CaN在宽禁带半导体方面存在很大的应用潜力，国际上很多研究组已经将在不同条件下生长的ZnO和GaN薄膜的微结构进行了研究。在众多试验中他们发现存在30度畴这种缺陷。直到现在没有人对这个缺陷进行仔细的研究。这里我们使用了截面和平面两个样品应用透射电子显微镜进行了表征。