热处理对CuIn（S，Se）2薄膜断面成分均匀性的影响

摘要

用同时硒硫化共溅射Cu-In预制层的方法制备TCuIn（S，Se）2薄膜．为了了解热处理对CuIn（S，Se）2薄膜断面成分均匀性的影响，对经“一段式”热处理（500℃）和“二段式”热处理（250℃保温然后500℃）的样品进行了研究．XRD测试结果表明，经过“一段式”热处理后的样品XRD（112）峰出现劈裂现象，而经过“二段式”热处理的样品XRD（112）峰比较匀称．GIXRD和EDS测试证明样品经过“二段式”热处理后断面成分均匀性较好．通过XRD和Raman测试对两种热处理下的反应机理进行了研究，阐述了两种热处理对CuIn（S，Se）2薄膜断面成分均匀性的影响的内在原因．