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V,Nb和Ta晶格稳定性的密度泛函电了结构

             

摘要

为了探索纯金属晶格稳定性的电子结构,采用总能赝势平面波方法计算了VB族金属V、Nb和Ta不同晶体结构的晶格常数、总能和态密度,并将计算结果与第一原理投影缀加波方法结果、CALPHAD方法结果及实验数据等进行了详细地对比和分析.结果表明三种元素三种结构的大部分s态电子均已转化成成键能力更强的p或d态电子,增强了晶体原子之间的化学键合,并且s态电子向p态和d态电子的转化随晶体结构和元素周期发生明显变化.这种变化增强了原子序数较大的重金属原子之间的化学键合,形成了较高的晶体结合能,增强了晶格稳定性.

著录项

  • 来源
    《化学物理学报 》 |2010年第1期|69-72|共4页
  • 作者

    陶辉锦; 万芳铭; 陈伟民;

  • 作者单位

    中南大学材料科学与工程学院,有色金属材料科学与工程教育部重点实验室,长沙,410083;

    中南大学材料科学与工程学院,有色金属材料科学与工程教育部重点实验室,长沙,410083;

    中南大学材料科学与工程学院,有色金属材料科学与工程教育部重点实验室,长沙,410083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    V; Nb ; Ta ; 晶格稳定性; 密度泛函理论 ;

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