浅谈CdTe薄膜的制备方法及掺杂改性研究

摘要

Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物碲化镉(CdTe)因其具有良好的光电性质,而成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料.广泛的应用其制备是前提,CdTe薄膜的制备方法较多,主要有:CSS法(closed-space sublimation,近距离升华);电沉积(ED)法;溅射法;喷涂法和真空蒸发法等.采用不同的制备技术对CdTe薄膜样品的结构与性质有较大差异,本文研究了CdTe薄膜的结构特性,比较制备工艺较成熟且效率较高的常用方法的优缺点,并系统讨论了CdTe薄膜的掺杂改性研究.