硅微通道阵列光电化学腐蚀中通道尺寸控制技术

摘要

高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔.本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术.给出了n型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,研究了暗电流密度与腐蚀时间关系及对腐蚀的影响.根据暗电流及JPS的变化规律调整腐蚀电流,实现了对孔径的控制,制备出通道深度为300 μm.长径比为100的硅微通道阵列结构.