AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究

摘要

对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量.用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片.利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2％的AlGaN薄膜,其生长模式符合Stranski-Krastanow模式.利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制.