机译:低温氨基分子束外延生长的金属极性AlGaN / AlN / GaN和AlN / GaN异质结构中的纯AlN层
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:门 - 第一工艺兼容,高质量的原位SINX用于Algan / GaN Mishemts的表面钝化和栅极电介质
机译:使用薄的低温AlN层,通过气源分子束外延在蓝宝石上生长在蓝宝石上的高质量AlGaN / GaN
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:通过热ALD技术生长具有AlN栅极电介质的AlGaN / GaN MISHEMT
机译:通过热ALD技术生长具有AlN栅极电介质的AlGaN / GaN MISHEMT