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高产量合成尺寸均一的ZnO纳米线

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摘要

通过热蒸发气相沉积的方法成功合成了高产量的ZnO一维纳米线.合成的纳米线平均直径50nm,长度达数微米.X射线衍射谱和能量散射X射线谱结果表明合成的产物是成分单一的纤锌矿结构,纳米线的生长归因于汽-固生长机制.合成的产物在纳米光电子学领域有着重要的应用前景.

著录项

来源
《陶瓷学报》|2009年第4期|474-476|共3页
作者
张海军; 赵国刚;
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作者单位

黑龙江科技学院材料科学与工程学院,哈尔滨:150027;

黑龙江科技学院材料科学与工程学院,哈尔滨:150027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工业用陶瓷;
关键词
氧化锌; 半导体; 纳米线; 气相沉积;

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