CN_x薄膜的制备及电子结构

摘要

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜，研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响，并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小，均不利于氮化碳膜的形成；在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时，薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ；ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子，所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键，而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在，说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．