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四角状纳米ZnO的制备及其场发射性能

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利用热蒸发法制备出了新颖的四角状ZnO纳米棒.研究了四角状纳米ZnO的场发射特性.场发射测试表明四角状ZnO纳米棒具有较好的场发射特性,开启电场为2.9V/μm,阈值电场为5.4V/μm.这一结果表明四角状ZnO纳米棒是一种性能优良的冷阴极电子发射源.

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来源
《华中师范大学学报：自然科学版》 |2015年第6期|867-871|共5页
作者
胡永红; 刘宏章;
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作者单位

湖北工程学院物理与电子信息工程学院;

南京理工大学材料科学与工程学院;

湖北科技学院核技术与化学生物学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类理论;
关键词
ZnO; 纳米结构; 热蒸发法; 场发射;

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