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杨锡震; 丁楠; 丁维清;
北京师范大学物理系;
北京师范大学分析测试中心;
半导体; 磷化镓; 镍; MOVPE; SIMS;
机译:在各种砷蒸气压下生长的气相外延砷化镓中深层杂质浓度的深度剖面
机译:MOVPE使用纯净环境N_2中具有不同V / III比的TBP生长的AlInP的原子有序
机译:根相关,冷气候固氮螺旋菌,肠杆菌,克雷伯菌和假单胞菌在不同碳源和不同分压下的生长过程中的氮酶活性(乙炔还原)
机译:动态椭偏仪原位监测InGaAs / InP量子阱MOVPE生长中砷-磷交换
机译:MOVPE生长的氮化镓基同轴LED的生长,加工和表征
机译:根相关冷气候固氮螺旋菌肠杆菌克雷伯菌和假单胞菌在不同碳源和不同分压下的生长过程中的氮酶活性(乙炔还原)
机译:不同程度的压实和磷供应对不同土壤中玉米(Zea mays L.)植物生长的影响不同压实程度和磷供应对不同土壤中玉米植株生长的影响不同(Zea mays L.)
机译:不同镉超压下生长CdZnTe单晶的表征。
机译:MOVPE生长设备和复合半导体晶体的生长方法
机译:MOVPE生长中化合物半导体的晶体生长方法
机译:用于从具有不同大小杂质浓度的非对称导电系统中的熔体中拉出晶体的方法
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