离子束外延β—FeSi2／Si薄膜的电子能谱研究和表征

摘要

用电子能谱分析方法对低能离子束外延（ＩＢＥ）生长的β－ＦｅＳｉ２进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出ＸＰＳ价带谱与有关理论计算结果相符，用ＸＰＳ价带谱来表征β－ＦｅＳｉ２比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能ＩＢＥ生长机理进行了探讨。经研究认为：Ｆｅ，Ｓｉ通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Ｓｉ晶格相匹配的β－ＦｅＳｉ２