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杨园;
北京信息科技大学理学院,北京100192;
曲率补偿; 带隙基准; 温度系数; 电源电压抑制比;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:CMOS带隙基准电压源的无电阻BJT偏置和曲率补偿电路(3.4nW)
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:具有电流控制电路的CMOS带隙基准电压源,可扩展的工作温度范围
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:采用近1V电源的CmOs带隙基准电压源的运算放大器和启动电路
机译:互补对称/金属氧化物半导体(CmOs)电路硬化。体积I.蓝宝石上硅(sOs)CmOs电路的制造和表征。
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译:使用CMOS的带隙基准电压源
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