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孟波; 邹雪城; 孟超;
华中科技大学;
模拟集成电路; 数模混合集成电路; O.35μm工艺; 高性能CMOS能隙基准电压源电路; 电路设计;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:一种具有工艺容错分段二阶曲率补偿的亚1ppm/°C CMOS带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:一种自定时同步CmOs电路设计方法
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译:使用CMOS的带隙基准电压源
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