基于密度泛函理论探究拉伸应变对MoS_(2)光电性能影响

摘要

本文用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了拉伸应变对MoS_(2)光电性能的影响.发现:稳定性最强的为本征MoS_(2),最弱的为拉伸形变为30%的MoS_(2)模型.拉伸形变使Mo-S原子键长增大,周围电荷密度降低,键强减弱,并可以一定程度上改变Mo-S原子最外层电子的杂化强度及价带顶和导带底的电子移动.不同拉伸形变MoS_(2)模型对应的反射系数,随着拉伸应变的增加,反射峰值也逐渐增大.且频率范围在8.8 eV-9.15 eV区间内,紫外光处有较高的透光率,有望用于制备紫外光传感器等材料.